月產(chǎn)量10萬片！長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出192層3DNAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出相應(yīng)產(chǎn)品。

上述消息人士表示，順利推出192層3D NAND閃存芯片，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一個(gè)里程碑。該公司正努力在NAND技術(shù)上追趕領(lǐng)先的韓國(guó)及美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

消息人士稱，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND工藝良率已改善至令人滿意的水平，也將月產(chǎn)量擴(kuò)大至10萬片晶圓。

該公司將很快完成其總部位于武漢的工廠二期設(shè)施的建設(shè)，設(shè)備入駐預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候啟動(dòng)。到2023年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場(chǎng)份額有望達(dá)到7～8%。

值得注意的是，近日，存儲(chǔ)芯片大廠美光(Micron)發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上，預(yù)計(jì)在 2022 年底左右開始量產(chǎn)，并將在2023年推出的新款SSD中使用。

此外，三星電子預(yù)計(jì)也將在2022年下半年推出200層以上3D NAND閃存。

資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資約1600億元。

2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片。

隨著2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。

不過，由于該技術(shù)與國(guó)際主流技術(shù)相差較大，所以并未在市場(chǎng)獲得成功。

2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。

該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲(chǔ)密度。

隨后長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存還成功打入了華為Mate40系列的供應(yīng)鏈。

為了進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND Flash的研發(fā)。

2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào)：X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào)：X2-9060)，單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

2020年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)又推出自有存儲(chǔ)品牌“致鈦”，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品，并在市場(chǎng)上獲得了不錯(cuò)的表現(xiàn)。

去年10月，國(guó)外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Tech Insights對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層TLC 3D閃存進(jìn)行了芯片級(jí)的拆解，發(fā)現(xiàn)其存儲(chǔ)密度達(dá)到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm²，遠(yuǎn)高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

今年3月底，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已正式打入蘋果iPhone的NAND Flash供應(yīng)鏈，為iPhone SE 3供應(yīng)NAND Flash芯片。

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