中金公司發(fā)布研究報告稱，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半導體的典型代表，特別是在下游需求快速成長的新能源相關應用中，中金公司認為SiC相比Si基材料優(yōu)勢明顯：1)在新能源車領域，SiC器件有望解決續(xù)航里程短、補能時間長等痛點;2)在光伏發(fā)電方面，SiC器件有望提升逆變器轉換效率及使用壽命。根據Wolfspeed預測，2026年SiC相關器件市場有望達到89億美元，襯底市場有望達到17億美元，合計市場超百億。中金公司認為SiC材料(襯底、外延)作為產業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，有望充分受益，相關A股標的市場關注度有望迎來快速提升。
中金公司主要觀點如下：
SiC襯底及外延生長技術壁壘高，海外企業(yè)技術領先：我們認為，SiC材料制備水平對器件最終性能起決定性作用，技術壁壘較高：SiC晶錠通常需要在高溫高壓的氣相環(huán)境中生長;目前領先企業(yè)的單晶生長速度在每小時400微米左右，與Si存在數(shù)百倍的差距，目前PVT法依然是較主流的技術路線，市場規(guī)模較大的導電型產品主流尺寸為6英寸。外延方面，目前行業(yè)內平均生長速度為數(shù)微米/小時，隨著耐壓要求提高，外延層制造時間相應加長。目前美國Wolfspeed在SiC材料市場處于主導地位，2020年在襯底市占率超60%。
海外及中國大陸廠商加速擴產，但國內有效產能仍稀缺：根據Wolfspeed測算，2026年全球SiC襯底市場有望達到17億美元，在400-500美元的襯底均價假設下，屆時需求有望達到400萬片/年上下。根據我們統(tǒng)計，海外廠商產能正處于加速擴張之中，2024-2025年海外企業(yè)規(guī)劃年產能有望達到約204萬片(6英寸等效)，是2020年的6倍之多，2022年起部分廠商還有望供應8英寸導電襯底。國內方面，我們看到目前襯底主流產品仍以4英寸為主，大規(guī)模量產6英寸企業(yè)較少，與海外存在差距;而產能方面大步推進，遠期規(guī)劃年產能超400萬片(對應超200億投資，目前產能僅20-30萬片/年)。我們認為并非所有產能都能形成有效轉化，未來隨著國內項目的陸續(xù)投產，部分良率偏低的項目可能會被以兼并重組的方式淘汰。我們認為行業(yè)應避免產能無序擴張。
碳化硅材料企業(yè)盈利能力及估值展望：我們認為SiC襯底供應商的整體良品率與每個單晶爐年產量是體現(xiàn)公司核心競爭力的關鍵，中長期來看本土SiC襯底龍頭企業(yè)的營業(yè)利潤率有望達到25%-30%。目前二級市場常用P/S法對SiC材料企業(yè)估值，而在未來中長期3-5年維度來看，我們認為P/E估值法是行業(yè)較為通用的估值方法，受益于新能源應用的持續(xù)增長，行業(yè)有望持續(xù)享受較高的估值水平。
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